1.光伏發展的必要性1.1 節能減排已成全球共識,我國能源結構調整成果初顯全球逐步達成節能減排共識。為應對全球氣候變暖以及傳統發電手段帶來的資源損耗,全球各個國家逐步將發電手段轉向可再生能源發電,其中風能、太陽能以其受地域限制較小的優點已經成為各國發展重點。我國非化石能源裝機規模首次超過煤電裝機規模。根據國家
![]() 中國光伏裝機量連續多年位列全球首位。2011-2019年間,我國光伏裝機總量呈現波動變化趨勢。2011-2017年間呈上升趨勢,到2017年我國光伏行業裝機總量達到高點的53GW。2018-2019年,受“531新政”影響,國內光伏裝機量連續兩年下降,2019年光伏行業裝機總量為30.1GW,同比減少32%。根據CPIA的數據,2022年我國光伏新增裝機87.41GW,同比增加59.3%。累計光伏并網裝機容量達到 392.6GW,新增和累計裝機容量均為全球第一。根據中國光伏行業協會的預計, 2023 年我國光伏新增裝機量將達到 95-120GW,累計裝機有望超過487.6GW。 2.3 電池片技術革新持續帶動光伏設備需求 中央財政不再補貼,行業進入平價上網時代。目前我國光伏行業已進入平價上網時代,根據國家發改委2021年 6 月發布的《關于2021年新能源上網電價政策有關事項的通知》,2021 年起新備案集中式光伏電站、工商業分布式光伏項目中央財政不再補貼。目前光伏補貼已由國家補貼轉為地方政府補貼。 降本增效是光伏行業重點發展方向。降本是通過減少光伏度電成本使光伏電站在無補貼的情況下,實現平價上網,通過度電成本的降低為光伏企業帶來利潤。因此光伏電站初始投資、電站運營成本都將是光伏企業盈利的重要因素。光伏系統 初始投資方面,根據CPIA的數據,2022 年我國地面光伏系統的初始全投資成本為4.13元/W 左右,較2021年下降0.02元/W。2022年我國工商業分布式光伏系 統初始投資成本為3.74 元/W,較2021年持平。我們認為,未來隨著產業鏈各環節新建產能的逐步釋放,組件、逆變器等關鍵設備成本有望進一步下降,預計2023年地面光伏系統、工商業分布式光伏系統初始全投資成本有望分別下降至3.79元/W、3.42元/W。 運維成本方面,電站運維是指通過預防性維護、周期性維護以及定期的設備性能測試等手段,科學合理的對電站進行管理,以保障整個電站光伏發電系統的安全、穩定、高效運行。根據 CPIA 的數據,2022 年分布式光伏系統運維成本為 0.048 元/(W·年),集中式地面電站為 0.041 元/(W·年),較 2021 年小幅下降。預計未 來幾年地面光伏電站與分布式系統的運維成本將維持在這個水平并略有下降。 增效主要是通過新型技術的應用提高光伏轉換效率,由于光伏行業是典型的遵循 一代工藝、一代設備的行業,在光伏行業降本增效要求下,新型高效電池片的發 展將有效帶動光伏設備需求。按照光伏產品制造的不同階段可劃分為硅片、電池 片、組件三個環節。 2.3.1 硅棒/硅片環節:硅片尺寸向 210mm 大硅片發展 硅片環節是目前整個產業鏈中利潤環節最豐厚的環節,主要設備包括單晶爐、切 片機等。硅片設備需求的提升與光伏硅片制造廠商自身的產能擴建及落后產能置換更新計劃高度相關。 降本增效要求下,硅片向大尺寸方向發展。目前光伏行業成本下降已經到達瓶頸期,除硅片環節外利潤都已經擠壓到微利的水平。210mm 大硅片體系可以通過 擴大硅片面積、減少組件的連接數量從而攤薄單位生產成本,未來有望帶來裝機 成本 10%的下降。以 210mm 硅片為例,電池成本有望比常規 158.75mm 尺寸電池成 本降低 7.6 分/W。根據 CPIA 的數據,2022 年 156.75mm 尺寸占比由 2021 年的 5%下降為 0.5%,166mm 尺寸占比由 2021 年的 36%降至 15.5%,大尺寸(182mm、 210mm)合計占比從 2021 年的 45%上升至 2022 年的 82.8%,大尺寸化發展趨勢明 顯。 單晶爐 單晶爐已實現國產替代。單晶硅生長爐是指在真空狀態和惰性氣體保護下,通 過石墨電阻加熱器將多晶硅原料加熱熔化,然后用直拉法生長單晶的設備,簡稱“單晶爐”。目前單晶爐設備方面國產設備廠商已經達到國際先進水平,國外單 晶爐設備廠商已經基本退出國內市場,國內單晶爐生產企業主要有晶盛機電、北 方華創、京運通、連城數控等。 我們按照截止 2023 年 4 月 17 日各大硅片廠發布的擬新增硅片、硅片產能項目計 劃進行測算,按照單晶爐單價 130 萬元/臺,一臺單晶爐對應 10MW 產能,新增產 能部分全部對應單晶爐新增需求進行簡單測算,未來新增產能部分對應單晶爐市 場空間約為 371.80 億元。 金剛線切片機 金剛線切割技術全面普及。2017 年以前,由于多晶硅在使用金剛線切片后硅片 表面會變非常光滑,導致多晶硅酸制絨工藝后反射率過高進而帶來加工難度。同 時由于多晶硅錠本身內部夾雜硬質點的原因,對金剛線消耗較大,因此 2017 年 以前金剛線切割技術主要應用于單晶硅領域。不過隨著下游多晶硅配套制絨技術 的解決,目前金剛線切割技術基本已全面取代砂漿切片技術。 單晶硅片金剛線母線直徑不斷下降。根據行業經驗,切割線母線直徑及研磨介質 粒度與硅片切割質量及切削損耗量相關,較小的線徑和介質粒度有利于降低切割 損耗和生產成本。2022 年單晶硅片金剛線母線直徑為 38μm,較 2021 年的 43μm 下降明顯,且未來仍將呈現不斷下降趨勢。多晶硅片方面,由于其雜質、缺陷多 于單晶硅片,用于多晶硅片的金剛線母線直徑也普遍大于單晶硅片,未來隨著多 晶硅片需求的減緩,對應使用的金剛線母線直徑降幅也將趨緩。 ![]() |