2016年單晶市場的成長關(guān)鍵在于成本與效率
今年全球太陽能需求量雖達53GW，但單晶總產(chǎn)出可能低于10GW；未來單晶市場是否能有顯著成長，成本將是最重要的因素。
目前中國政府已頒布的領(lǐng)跑者計劃——《大同采煤沉陷區(qū)光伏發(fā)電基地規(guī)劃及2015年實施方案》，規(guī)劃該示范基地規(guī)劃建設(shè)總裝機容量為3GW，第一期1GW項目即將動工，并計劃2016年年中完工。未來更多此類領(lǐng)跑者計劃預(yù)期都將推升單晶的需求，蘊釀出單晶在2016年更加受矚目的氛圍。
圖二：多晶與單晶產(chǎn)品效率分布與領(lǐng)跑者門檻（黃色區(qū)域為目前主流電池片效率能滿足領(lǐng)跑者計劃門檻）
另外，EnergyTrend預(yù)估2016年全球PERC產(chǎn)能將超過13GW。由于PERC應(yīng)用于單晶的效率提升較佳，產(chǎn)能上看8GW。雖導入新機臺的多數(shù)廠商在量產(chǎn)之前仍需一段時間進行調(diào)整，但國際大廠晶澳、SolarWorld以及技術(shù)早已穩(wěn)定的臺灣廠商仍將為PERC全球產(chǎn)能做出不少貢獻。
圖三：2015-2016PERC產(chǎn)能分布
單晶產(chǎn)品在明年將呈現(xiàn)的風貌
相較于技術(shù)進步、轉(zhuǎn)換效率提升、政策的刺激與支持，成本才是贏得太陽能市場競爭的根本因素，故多晶與單晶硅片的價差是否能一直維持在近期每片0.1美金的水準，將是2016年單晶產(chǎn)品是否能提升市占率的關(guān)鍵。如前所述，單晶產(chǎn)品今年整年需求不到10GW，但單晶硅片產(chǎn)能卻高達14GW，供過于求導致價格跌幅劇烈。展望明年，不少廠商看好單晶市場可能擴大，蠢蠢欲動打算擴充單晶硅片產(chǎn)能；龍頭廠隆基、中環(huán)在明年已定下擴產(chǎn)計劃，多晶硅片龍頭場GCL也宣稱在明年將端出1GW的規(guī)模大舉跨入單晶市場。EnergyTrend預(yù)期單晶硅片產(chǎn)能明年將超過17GW，年成長率超過20%。
除非終端市場對單晶的需求大幅成長，否則單晶硅片明年仍將供過于求。N型單晶硅片因客戶較為集中且固定，整體尚算供需平衡，但P型今年已嚴重供過于求，加以明年大廠擴充都先以P型為主，故EnergyTrend預(yù)期P型單晶硅片廠商的價格將難以回升至超過US$0.95/pc的水準，使單、多晶硅片的價差不至再度大幅拉開。
而2016年的單晶需求成長趨勢如何？以今年單晶需求占總需求的18%來看，明年因分布式市場日趨重要、單晶硅片價格低迷、轉(zhuǎn)換效率提升、LID控制得宜、PERC技術(shù)漸趨成熟等因素的刺激，以EnergyTrend目前預(yù)估明年需求達58GW的情況下，單晶產(chǎn)品在2016年有望挑戰(zhàn)總需求的25%，成長至14.5GW。
相較于技術(shù)進步、轉(zhuǎn)換效率提升、政策的刺激與支持，成本才是贏得太陽能市場競爭的根本因素，故多晶與單晶硅片的價差是否能一直維持在近期每片0.1美金的水準，將是2016年單晶產(chǎn)品是否能提升市占率的關(guān)鍵。如前所述，單晶產(chǎn)品今年整年需求不到10GW，但單晶硅片產(chǎn)能卻高達14GW，供過于求導致價格跌幅劇烈。展望明年，不少廠商看好單晶市場可能擴大，蠢蠢欲動打算擴充單晶硅片產(chǎn)能；龍頭廠隆基、中環(huán)在明年已定下擴產(chǎn)計劃，多晶硅片龍頭場GCL也宣稱在明年將端出1GW的規(guī)模大舉跨入單晶市場。EnergyTrend預(yù)期單晶硅片產(chǎn)能明年將超過17GW，年成長率超過20%。
圖四：2015-2016單晶硅片產(chǎn)能
除非終端市場對單晶的需求大幅成長，否則單晶硅片明年仍將供過于求。N型單晶硅片因客戶較為集中且固定，整體尚算供需平衡，但P型今年已嚴重供過于求，加以明年大廠擴充都先以P型為主，故EnergyTrend預(yù)期P型單晶硅片廠商的價格將難以回升至超過US$0.95/pc的水準，使單、多晶硅片的價差不至再度大幅拉開。
而2016年的單晶需求成長趨勢如何？以今年單晶需求占總需求的18%來看，明年因分布式市場日趨重要、單晶硅片價格低迷、轉(zhuǎn)換效率提升、LID控制得宜、PERC技術(shù)漸趨成熟等因素的刺激，以EnergyTrend目前預(yù)估明年需求達58GW的情況下，單晶產(chǎn)品在2016年有望挑戰(zhàn)總需求的25%，成長至14.5GW。
作者： 來源：EnergyTrend 責任編輯：wutongyufg
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