硼(B)摻雜的P型單晶硅(Cz-直拉法)電池的光衰現象早在1973年已發現，該光衰之后被發現可一定程度恢復的。Jan Scht發現了該光衰主要是“B-O對”引起的并給出了該缺陷的結構(2003)。Axel Herguth提出了“再生態”理論解釋初始光衰后功率恢復并保持穩定的原理(2006)。P型多晶硅電池的衰減則因氧含量相對少而恢復過程不明顯，該衰減被認為不僅與B-O對相關，同時也與金屬雜質相關。

B-O引起的光衰經過一段時間的光照可有一定程度的恢復，如P型單晶硅組件在最初戶外運行的2~3個月，會經歷較明顯的衰減與部分恢復過程，商業化產品首年的衰減可保持在3%以內，P型多晶組件的首年衰減則一般按￡2.5%來質保，電池均無需經過“再生”處理。

2.PERC組件的光衰

P型PERC技術對晶硅電池背面做鈍化，電子需要擴散更長的距離經過激光開槽處才能傳輸到背面的鋁電極，因此缺陷與雜質會引起更加明顯的光衰。如下圖所示，P型單晶PERC電池的光衰均高于常規單晶，P型多晶PERC電池的光衰也高于常規多晶，單晶PERC電池光衰達到3%后開始恢復，多晶PERC電池在約40小時光衰快速達到約3%后繼續衰減至5.5%以上，鑄造單晶在400小時內也并未發生光衰恢復。

因此PERC電池需要經過“再生”處理，如下圖所示，在130攝氏度1.2suns光照1小時的再生處理并穩定后，單晶PERC電池效率可恢復初始值的99.5%。2014年起單晶PERC技術開始規模應用的原因就是：1發現了具有很好鈍化效果的AlOx，2通過產業化的“再生”處理可以對單晶PERC電池的光衰有效控制。研究人員也發現光致衰減實際上是載流子(Carrier)引起的光衰，LID也就可以稱之為CID，高劑量光照或高電流注入均可以加速“再生”過程，生產出“B-O光衰”基本被消除的PERC電池。值得指出的是：常規單晶電池如經過再生處理后的光衰表現略優于單晶PERC電池，很可能是 “B-O光衰”光衰被基本消除后雜質引起的光衰所起的作用，所以制造單晶PERC電池有必要注意硅片的雜質含量。