多晶PERC電池在暗退火處理(如150oC，10小時)時可發生類似的衰減行為，研究者認為該過程與LeTID有相同的機理，因此可以通過研究暗退火過程以確定LeTID的根本原理。UNSW發現P型Cz單晶硅、Fz單晶硅以及N型硅在暗退火后也會發生衰減(考慮到暗退火條件并不見于戶外應用，沒有必要因此擔心單晶PERC技術的產業應用)。UNSW發現了LeTID與氫的相關性；M. A. Jensen認為LeTID是氫與硅片中的一種和幾種缺陷共同作用導致的(Evaluating root cause: The distinct roles of hydrogen and firing in activating light andelevated temperature-induced degradation，2018)；Kenta Nakayashiki認為根本原因可能是兩個：1氫和深能級施主缺陷共同形成的點缺陷；2含Cu復合缺陷的構型變化(Engineering Solutions and Root-Cause Analysis for Light-Induced Degradation in p-Type Multicrystalline Silicon PERC Modules, 2016)；Mallory A. Jensen則發現雜質元素Cu和Ni在LeTID過程中起著關鍵作用 (Solubility and Diffusivity: Important Metrics in the Search for the Root Cause of Light and Elevated Temperature-Induced Degradation, 2018)

總之，多晶PERC的LID(或稱LeTID)的根本原因仍沒有定論，考慮到各研究者都有實驗依據，光衰很可能是多種因素共同作用導致的。對于產業化的解決上，多晶PERC生產商需要做的包括嚴控多晶硅片質量(采用高品質硅料)，長時間‘再生’處理以及嚴控電池出廠光衰測試(75oC測試，提高抽測頻次)。考慮到18年下半年多晶硅片處于虧本銷售的情況，差的硅料、回料很可能被用到，質量相對較差的硅片制成的多晶PERC組件在系統中存在較高的潛在風險。

目前晶硅電池LeTID的測試標準正在討論中，對于多晶PERC的光衰管控只有出廠測試才有意義，僅僅看第三方的送樣測試結果的參考價值不大，一方面多晶硅片來自鑄錠不同位置，硅片內部缺陷的情況有不同；另一方面單片電池/組件是可以通過特殊處理做到低光衰的。

4.總結

A.P型PERC電池的光衰明顯高于常規BSF電池，因此需要進行“再生”處理；

B.單晶PERC電池的光衰以“B-O”光衰為主，原理上可通過光注入、電注入及摻Ga來解決，但對制造商技術水平提出更高要求，投資者需選擇可靠供應商。

C.多晶PERC電池的光衰機理復雜，也會發生“再生”過程但耗時很久，產業化需要使用高品質硅片并加強電池的出廠光衰管控。