【發布單位】中華人民共和國商務部
【發布文號】公告2014年第5號
【發布日期】2014-01-20

　　根據《中華人民共和國反傾銷條例》（以下稱《反傾銷條例》）的規定，2012年7月20日，商務部（以下稱調查機關）發布第40號公告，決定對原產于美國和韓國的進口太陽能級多晶硅（以下稱被調查產品）進行反傾銷立案調查。該產品歸在《中華人民共和國進出口稅則》：28046190。該稅則號項下用于生產集成電路、分立器件等半導體產品的電子級多晶硅不在本次調查產品范圍之內。

　　調查機關對被調查產品是否存在傾銷及傾銷幅度、中國太陽能級多晶硅產業是否受到損害及損害程度以及傾銷與損害之間的因果關系進行了調查。根據調查結果和《反傾銷條例》第二十四條的規定，2013年7月18日，調查機關發布初裁公告，認定被調查產品存在傾銷，中國太陽能級多晶硅產業受到了實質損害，而且傾銷與實質損害之間存在因果關系。

　　初步裁定后，調查機關繼續對傾銷和傾銷幅度、損害和損害程度以及傾銷與損害之間的因果關系進行調查�，F本案調查結束，根據調查結果，并依據《反傾銷條例》第二十五條的規定，調查機關作出最終裁定（見附件）�，F將有關事項公告如下：

　　一、最終裁定

　　經過調查，調查機關最終裁定，在本案調查期內，被調查產品存在傾銷，中國太陽能級多晶硅產業受到實質損害，而且傾銷與實質損害之間存在因果關系。

　　二、被調查產品范圍及措施范圍

　  本案被調查產品及實施措施產品的具體描述如下：

　　調查和措施范圍：原產于美國和韓國的進口太陽能級多晶硅。

　　被調查產品名稱：太陽能級多晶硅。英文名稱：Solar-Grade Polysilicon。

　　被調查產品的具體描述：以氯硅烷為原料采用（改良）西門子法和硅烷法等工藝生產的，用于生產晶體硅光伏電池的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產品。

　　被調查產品電學參數為：基磷電阻率<300歐姆∙厘米（Ω ∙ cm）；基硼電阻率<2600歐姆∙厘米（Ω ∙ cm）；碳濃度>1.0×1016（at/cm3）；n型少數載流子壽命<500μs；施主雜質濃度>0.3×10-9;受主雜質濃度>0.083×10-9 。

　　主要用途：主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產，是生產晶體硅光伏電池的主要原料。

　　該產品歸在《中華人民共和國進出口稅則》：28046190。該稅則號項下用于生產集成電路、分立器件等半導體產品的電子級多晶硅不在本次調查產品范圍之內。