“更低氧含量、更低衰減、無缺角，鑄錠單晶產品性價比優(yōu)勢明顯”，7月27日，在上海市太陽能學會年會暨先進技術集成研討會上，江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司技術服務部經理黃春來作《GCL鑄錠單晶技術進展》報告。他認為，鑄錠單晶產品兼具多、單晶技術優(yōu)點，和Cz單晶相比，將為客戶帶來更多價值。

 
　　黃春來認為，多晶鑄錠硅片產品技術優(yōu)勢為高產能、低光衰、低封裝損失；Cz單晶產品轉換效率高、位錯密度低、可以采用堿制絨工藝，采用鑄錠方法生產的單晶硅片兼具二者技術優(yōu)勢。下游客戶使用反饋，疊加PERC技術后，鑄錠單晶與Cz單晶效率差僅為0.18%，而成本大幅降低。

　　“鑄錠單晶產品的低光衰源于鑄錠工藝特性和摻鎵技術”，黃春來表示，數(shù)據(jù)顯示，常規(guī)硼摻雜鑄錠單晶硅片的氧含量僅為Cz單晶硅片的40%，可顯著降低硼氧復合導致的光致衰減；另一方面，鑄錠單晶通過采用鎵元素部分代替硼元素，可以從源頭上減少硼氧復合體的產生，光衰比Cz單晶產品低0.5%以上，長期發(fā)電量更高。

　　以Cz單晶組件為基準，黃春來測算了鑄錠單晶組件的度電成本。數(shù)據(jù)顯示，在同功率輸出的條件下，鑄錠單晶組件價格比Cz單晶低0.06元/瓦，度電成本低0.006元/度。