近日，三家企業(yè)聯(lián)手通過在價格相對低廉的箔片上培養(yǎng)晶體硅來降低硅片鋸切過程中引起的浪費。NREL同能源部奧克里季國家實驗室(ORNL)以及c-Si薄膜技術(shù)企業(yè)Ampulse建立了合作伙伴關(guān)系，目的是降低太陽能電池板的成本。
　　這個組合將應(yīng)用化學蒸汽分解(CVD)流程在ORNL開發(fā)的金屬箔片上培養(yǎng)薄層高質(zhì)量硅。Ampulse將設(shè)計一個全規(guī)模生產(chǎn)線，支持長卷金屬箔片的使用，以確保此項技術(shù)的成本效益。此生產(chǎn)線將安裝在NREL的流程開發(fā)一體化實驗室(PDIL)中。
　　據(jù)了解，現(xiàn)今的c-Si技術(shù)生產(chǎn)流程容易導(dǎo)致巨大的浪費，幾乎一半的精加工硅在硅片鋸切中化為灰塵而浪費。另外，硅片鋸切流程是從兩米長的硅上裁剪下6,000塊硅片。以這種方式裁剪下的硅片通常必須達到所需厚度的十倍，才能最大程度的將陽光轉(zhuǎn)化為電力。
　　Ampulse流程則不需要創(chuàng)造供料，而是直接在箔片底層上使用硅烷培養(yǎng)所需數(shù)量的硅。
　　NREL的PDIL運營經(jīng)理Brent Nelson表示：“這個流程直接從純含硅氣體直接到優(yōu)質(zhì)晶體硅薄膜。其中的優(yōu)勢就是能夠得到理想的厚度，10微米或更小.”