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硼(B)摻雜的P型單晶硅(Cz-直拉法)電池的光衰現(xiàn)象早在1973年已發(fā)現(xiàn)，該光衰之后被發(fā)現(xiàn)可一定程度恢復(fù)的。Jan Scht發(fā)現(xiàn)了該光衰主要是“B-O對”引起的并給出了該缺陷的結(jié)構(gòu)(2003)。Axel Herguth提出了“再生態(tài)”理論解釋初始光衰后功率恢復(fù)并保持穩(wěn)定的原理(2006)。P型多晶硅電池的衰減則因氧含量相對少而恢復(fù)過
 UNSW(新南威爾士大學(xué))認為(光致)再生過程的機理在于促使P型硅中存在的H+轉(zhuǎn)化為H0，H0可以鈍化BO+缺陷乃至金屬離子如Fei+、Cri+，商業(yè)化的光致再生設(shè)備因需要高生產(chǎn)速率，因此需要利用到高強度的光照(如激光)以在幾秒鐘內(nèi)完成再生過程。如下報告列舉了5家提供光致再生(LIR，Lightinduecdregeneration)設(shè)備的企業(yè)，其設(shè)備均有很好的處理效果。  國內(nèi)的晶寶、時創(chuàng)、昊建等均開發(fā)了電注入(電致再生)設(shè)備，不同于光注入設(shè)備需要在電池端與在線生產(chǎn)，電注入設(shè)備可以離線布置在電池端或組件端，多個電池片堆疊通電處理，在制造端也得到了大規(guī)模的應(yīng)用。 另外，摻Ga的P型硅與摻磷的N型硅則可以根本上杜絕了“B-O”衰減，也可以解決單晶PERC技術(shù)的光衰風(fēng)險。因此單晶PERC技術(shù)規(guī)模應(yīng)用在理論上不存在問題，卻對硅片品質(zhì)與電池技術(shù)提出了更高的要求，光伏電站投資者需要選擇技術(shù)可靠的供應(yīng)商以避免風(fēng)險。 3.多晶PERC光衰與LeTID 根據(jù)以下2012年的研究，低氧與摻Ga均無法解決多晶PERC電池的光衰問題，并展示了不同溫度下測試光衰的差別，75oC下的光衰明顯高于25oC的結(jié)果，而75oC是組件戶外工作時可能出現(xiàn)的溫度。  因此Q-Cells在15年命名的LeTID(Light andelevated Temperature Induced Degradation，光與升溫導(dǎo)致的衰減)并不是一個新的概念，不少文獻還是堅持使用LIDinmc-silicon(多晶光衰)來描述同一現(xiàn)象。Q-Cells發(fā)現(xiàn)多晶PERC電池的開路電壓衰減在95oC高載流子注入的情況下在800小時后恢復(fù)至約99%，表明了多晶PERC電池再生態(tài)處理理論上的可行性，但由于耗時非常久，產(chǎn)業(yè)化付出的成本就會很高。 |
